गैलियम नाइट्राइड तकनीक में शैक्षणिक और औद्योगिक साझेदारी
स्रोत:द हिंदू ↗
क्यों मायने रखता है
यह साझेदारी भारत के भीतर गैलियम नाइट्राइड (GaN) जैसी विशिष्ट सेमीकंडक्टर तकनीकों को आगे बढ़ाने के लिए आवश्यक महत्वपूर्ण शिक्षाविद्-उद्योग (academia-industry) सहयोग को रेखांकित करती है, जो इंडिया सेमीकंडक्टर मिशन के लक्ष्यों और हाई-एंड इलेक्ट्रॉनिक्स में आत्मनिर्भरता का समर्थन करती है।
सारांश
सेमिकॉन डिज़ाइन फर्म स्पिंट्रोनिक्स (Spintronics) और CSIR-CEERI ने गैलियम नाइट्राइड (GaN) तकनीक पर सहयोग करने के लिए एक समझौते पर हस्ताक्षर किए हैं, जिसका उद्देश्य सेमीकंडक्टर डिज़ाइन, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और उन्नत इलेक्ट्रॉनिक्स विनिर्माण में भारत की स्वदेशी क्षमताओं को मजबूत करना है।
मुख्य बिंदु
- सेमिकॉन डिज़ाइन फर्म स्पिंट्रोनिक्स और CSIR-CEERI ने गैलियम नाइट्राइड (GaN) तकनीक के विकास के लिए एक समझौते पर हस्ताक्षर किए हैं।
- GaN तकनीक अपनी उच्च दक्षता और थर्मल कंडक्टिविटी के कारण उन्नत पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, RF अनुप्रयोगों और अगली पीढ़ी के सेमीकंडक्टर उपकरणों के लिए महत्वपूर्ण है।
- यह सहयोग भारत में स्वदेशी डिज़ाइन और फ़ैब्रिकेशन क्षमताओं को बढ़ावा देने के लिए उद्योग और अनुसंधान संस्थानों को जोड़ता है।
- भारत को एक वैश्विक सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक्स हब बनाने के व्यापक उद्देश्य के साथ संरेखित है।
महत्वपूर्ण शब्द
इंडिया सेमीकंडक्टर मिशन
इलेक्ट्रॉनिकी और सूचना प्रौद्योगिकी मंत्रालय (MeitY) के तहत एक विशेष विंग जिसे 2021 में भारी वित्तीय प्रोत्साहनों के माध्यम से भारत के सेमीकंडक्टर और डिस्प्ले इकोसिस्टम के विकास का नेतृत्व करने के लिए लॉन्च किया गया था।
UPSC context
UPSC मेन्स GS पेपर III (विज्ञान और प्रौद्योगिकी): प्रौद्योगिकी का स्वदेशीकरण और उभरती तकनीकी विनिर्माण नीतियां।
CSIR-CEERI
CSIR-सेंट्रल इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग रिसर्च इंस्टीट्यूट, भारत में इलेक्ट्रॉनिक घटकों, सेमीकंडक्टर उपकरणों और उन्नत इलेक्ट्रॉनिक्स अनुसंधान में विशेषज्ञता रखने वाला एक प्रमुख R&D संगठन।
UPSC context
UPSC मेन्स GS पेपर III (विज्ञान और तकनीक): स्वदेशी अनुसंधान, तकनीक हस्तांतरण और R&D में संस्थागत योगदान।
स्पिंट्रोनिक्स
घरेलू शोध संस्थानों के साथ साझेदारी करके उत्पादन-तैयार गैलियम नाइट्राइड (GaN) पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और स्वदेशी विनिर्माण को आगे बढ़ाने वाली एक उभरती हुई सेमीकंडक्टर डिज़ाइन फर्म।
UPSC context
UPSC Mains GS Paper III: भारत के सेमीकंडक्टर मिशन में सार्वजनिक-निजी भागीदारी (PPP) और स्टार्टअप की भूमिका।
प्रारंभिक ट्रैप
गैलियम नाइट्राइड (GaN) तकनीक का उपयोग मुख्य रूप से अगली पीढ़ी के सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट और उच्च-घनत्व वाले मेमोरी चिप्स के निर्माण के लिए किया जाता है।
एस्पिरेंट्स यह मान सकते हैं कि गैलियम नाइट्राइड (GaN) का उपयोग विशेष रूप से डिजिटल माइक्रोप्रोसेसरों में किया जाता है, जबकि इसका प्राथमिक क्षेत्र पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, RF डिवाइस और हाई-फ्रीक्वेंसी, हाई-वोल्टेज स्विचिंग है।
संबंधित अवधारणाएँ
वाइड बैंडगैप (WBG) सेमीकंडक्टर क्या हैं और वे सिलिकॉन से किस प्रकार भिन्न हैं?
- बैंडगैप चौड़ाई: GaN और सिलिकॉन कार्बाइड जैसे WBG मटेरियल में व्यापक एनर्जी बैंडगॅप होता है (सिलिकॉन के 1.1 eV की तुलना में GaN के लिए ~3.4 eV)।
- परिचालन सीमाएँ: WBG डिवाइस थर्मल ब्रेकडाउन के बिना काफी अधिक वोल्टेज, आवृत्तियों और तापमान पर काम कर सकते हैं, जिससे ऊर्जा की खपत कम होती है।
- प्रमुख अनुप्रयोग: EV फास्ट चार्जर, 5G RF घटकों और नवीकरणीय ऊर्जा इनवर्टर सहित उच्च-शक्ति वाले अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण।
अंतर-विषय पैटर्न
GaN टेक और इलेक्ट्रिक व्हीकल इन्फ्रास्ट्रक्चर
GaN के वाइड बैंडगैप गुण इसे EV पावर ट्रेनों के लिए अनिवार्य बनाते हैं, जो नेशनल इलेक्ट्रिक मोबिलिटी मिशन के तहत सेमीकंडक्टर स्वदेशीकरण को हरित गतिशीलता लक्ष्यों के साथ जोड़ते हैं।
CSIR लैब्स और इंडिया सेमीकंडक्टर मिशन
CSIR प्रयोगशालाओं और फैबलैस स्टार्टअप्स के बीच सहयोग इंडिया सेमीकंडक्टर मिशन का आधार बनता है, जो R&D फंडिंग को कमर्शियल फैब्रिकेशन से जोड़ता है।
बैंडगैप चौड़ाई, स्विचिंग स्पीड और EV/RF उपयोगिता के संदर्भ में पारंपरिक सिलिकॉन बनाम वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर (GaN/SiC) का परीक्षण करने वाले कथनों की अपेक्षा करें।
संबद्ध PYQ · 1
संबद्ध PYQ · 1
- 2025MainsGS3
India aims to become a semiconductor manufacturing hub. What are the challenges faced by the semiconductor industry in India? Mention the salient features of the India Semiconductor Mission.
